图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 MMBT5088LT1, 5089LT1 |
| 文档 |
Multiple Devices 21/Jan/2010 |
| Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 产品更改通知 | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装 | 10 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 50mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 500mV @ 1mA, 10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 300 @ 100µA, 5V |
| 功率 - 最大 | 225mW |
| 频率转换 | 50MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 包装材料 | Cut Tape (CT) |
| 集电极最大直流电流 | 0.05 |
| 最小直流电流增益 | 300@0.1mA@5V|350@1mA@5V|300@10mA@5V |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 300 |
| 最大基地发射极电压 | 4.5 |
| Maximum Transition Frequency | 50(Min) |
| 封装 | Tape and Reel |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 35 |
| 供应商封装形式 | SOT-23 |
| 最大集电极发射极电压 | 30 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 50mA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 50MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 500mV @ 1mA, 10mA |
| 标准包装 | 10 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 功率 - 最大 | 225mW |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 300 @ 100µA, 5V |
| 其他名称 | MMBT5088LT1OSCT |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 频率 - 跃迁 | 50MHz |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 500mV @ 1mA, 10mA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 300 @ 100µA, 5V |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 功率 - 最大值 | 225mW |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 50mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 30V |
MMBT5088LT1也可以通过以下分类找到
MMBT5088LT1相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家